檢索結果：共6筆資料 檢索策略： "Pad".ekeyword (精準) and year="109"
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本研究 之目的 為 研發線上量測軟拋墊之 磨耗率 (Pad Wearing Rate, PWR)與 性能指標應用於化學機械拋光之製程 透過 先前 開 發之動態量測 拋光墊性能指標系統 以 自行研發 …
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在化學機械平坦化製程中，化學拋光液與晶圓移除之殘碎會導致拋光墊表面產生鈍化的情況，因此透過拋光墊修整將拋光墊表面已鈍化表面移除，維持穩定的晶圓移除率。本研究將探討修整力量下的拋光墊修整移除率與表面形…
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本研究目的主要在進行後段導線製程 (Back End of Line, BEOL)中，銅導線的化學機械拋光之化學能與機械能佔比分析。由銅膜晶圓、鉭膜晶圓之化學機械拋光製程實驗，藉由集合式電錶即時觀測…
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本研究之目的為設計研發依商用拋光墊溝槽及其經過磨耗後之尺寸PDMS材料翻模複製的透明溝槽，並與玻璃黏合為一體之觀測模型，經過相似性轉換計算後利用粒子影像測速法(Particle Image Velo…
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化學機械平坦化/拋光（CMP）製程在半導體製造產業中扮演著不可或缺的角色。拋光墊與研磨液為其中最關鍵的兩種耗材，在CMP製程中拋光墊承載著研磨液，使其可均勻分布在晶圓表面，同時提供了機械研磨力。隨著…
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本研究先建立不同研磨液溫度及不同研磨液體積濃度之無花紋研磨墊化學機械拋光矽晶圓的研磨移除深度理論模擬模式。我們先將矽晶圓浸泡在不同溫度及不同體積濃度研磨液後,接著進行原子力顯微鏡實驗,計算得出浸泡不…